金属氧化物半导体集成电路
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金属氧化物半导体集成电路
金属氧化物半导体集成电路
拼音:jīn shǔ yǎng huà wù bàn dǎo tǐ jí chéng diàn lù

结构: (上下结构) (半包围结构) (半包围结构) (左右结构) (左右结构) (单一结构) (上下结构) (左右结构) (上下结构) (单一结构) (单一结构) (左右结构)

金属氧化物半导体集成电路的解释
  • 基础释义:

    简称mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低,但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路(cmos)。应用广泛。